深圳市弘为电子有限公司

BSC026N04LS Infineon只做进口原装产品，非台产！

一般信息:
数据列表:BSC026N04LS;
标准包装  :5,000
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列:OptiMOS™
其它名称:BSC026N04LSATMA1-ND 
BSC026N04LSATMA1TR 
SP001067014 


规格:
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 20V
Vgs（最大值）:±20V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），63W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TDSON-8
封装/外壳:8-PowerTDFN


文档:
其它有关文件:Part Number Guide
PCN 组件/产地:Mult Device Assembly Site Add 6/Sep/2017


图像和媒体:
产品相片:8-Power TDFN
特色产品:Data Processing Systems
Solutions for Embedded Systems