BSC0902NSI MOSFET N沟道 30V 100A 8TDSON Infineon原装现货假一罚十

型号/规格：

BSC0902NSI

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

8TDSON

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

我司只做进口原装产品，Infineon MOS管，非国产台产

数据列表:BSC0902NSI;

标准包装:5,000
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列:OptiMOS™
其它名称:BSC0902NSI
BSC0902NSIATMA1TR
BSC0902NSITR
BSC0902NSITR-ND
SP000854380
规格
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）:32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V
Vgs（最大值）:±20V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TDSON-8
封装/外壳:8-PowerTDFN

深圳市弘为电子有限公司

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